（众人TMT2024年5月29日讯）科技媒体DIGITIMES Asia报说念通用版，三星电子(Samsung Electronics)已得手将下一代3D DRAM堆叠到16层，是其竞争敌手好意思光(Micron)的两倍。

三星实施副总裁Lee Si-woo在最近的一次采访中提到，他们也曾得手地将3D DRAM堆叠到16层。比较之下，好意思光只兑现了8层。但是，3D DRAM产物当今处于可行性考证阶段通用版，目标是到2030年兑现买卖化。

Lee Si-woo曾在好意思光担任DRAM研发阁下，并于2023年8月加入三星电子。3D DRAM接受垂直堆叠的神情，单元面积容量不错加多3倍，从而兑现海量数据的快速贬责。三星电子的目标是在3D DRAM技艺上扩大与竞争敌手的差距。

Lee Si-woo所说的3D DRAM是垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)。与现存的DRAM结构比较，3D DRAM不错包含更多的存储单元并减少电子侵略。与传统DRAM不同，VS-CAT作风的3D DRAM接受双硅晶圆设想。预测3D DRAM将接受晶圆对晶圆(W2W)搀杂键合技艺进行出产，该技艺已用于NAND和CMOS图像传感器(CIS)。

同期通用版，三星电子也在参谋垂纵贯说念晶体管(VCT)型3D DRAM。业界也将VCT作风的3D DRAM称为4F SQUARE，其最权贵的脾气是垂直导向的晶体管结构。此外，三星电子还初度提议了将BSPDN (Backside Power Delivery Network)技艺运用于DRAM的可能性。BSPDN被觉得是高难度技艺，三星规划在2025年之前将BSPDN技艺引入2nm工艺。